RTP快速退火爐以其快速升降溫能力和高度的溫度均勻性，在金屬/SiC歐姆接觸的制備過程中展現出了高穩定性。通過精準調控退火工藝參數，RTP能夠快速激活金屬與SiC界面處的化學反應，促進“化合物降低勢壘”或“碳空位減薄勢壘”機制的發生，從而顯著提升歐姆接觸的穩定性。

RTP快速退火爐和普通管式爐制備SiC芯片的性能對比

實驗數據表明，采用嘉儀通RTP快速退火爐制備的SiC芯片，在I-V測試中展現出了完美的線性特征，這是歐姆接觸形成的直接標志。同時，其接觸電阻極低，遠低于50 Ω，充分證明了RTP技術在提升歐姆接觸質量方面的卓越性能。

相比之下，傳統的管式爐等退火設備，難以達到理想的效果。由于升降溫速度較慢且溫度均勻性較差，難以精準控制金屬電極的取向生長，導致歐姆接觸的質量參差不齊，甚至可能出現整流特性而非歐姆特性，嚴重影響器件的性能。

因此，RTP快速退火爐的引入，不僅為碳化硅(SiC)芯片歐姆接觸的制備提供了一種更為高效、精準的方法，更為SiC大功率器件的效率提升、增益增強和開關速度加快奠定了堅實的基礎。